l 类型:激光位移传感器
l 安装距离:120mm
l 测量高度范围:±60mm
l 重复精度:8um
l 线性精度:±0.1%F.S.
l 采样周期:500us,1ms,2ms
l 激光波长:655nm 红色
l 量程：120±60mm
l 输出类型：PNP、NPN、485通讯
l 交互接口：按键4个
l 工作温度：-10℃~45℃
型号 | Type | 激光型 | |
KJT-HL12-A | |||
检测距离范围 | 0～120±60mm | ||
检测中心距离 | 120mm | ||
测定范围 | ±60mm | ||
光源 (发光波长) | 红色半导体激光级别1(JIS/IEC/GB/KS/FDALaserNoticeNo.50/GB 最大输出:039mW、投光峰波长:655nm | ||
光束直径 | 1.0*1.5mm | ||
受光部 | CMOS图像传感器 | ||
电源电压 | DC24V | ||
电流消耗 | 100mA以下 | ||
取样周期 | 500us,1ms,2ms | ||
保护回路 | 电源逆接保护、输出短路保护、输出逆接保护 | ||
分辨率 | 8um | ||
线性度 | ±0.1%%F.S | ||
模拟输出电压 | 输出范围:0~10.5V(正常时)、11V(警告时)输出阻抗:100Ω | ||
模拟输出电流 | 输出范围:3.2~20.8mA(正常时)、21.6mA(警告时)负载阻抗:300Ω以下 | ||
Out1输出 Out2输出 Out3输出 | 判断输出或警告输出(设定切换式)NPN晶体管集电极开路/PNP晶体管集电极开路(切换式) | ||
<NPN动作设定时> 最大流入电流:50mA 施加电压:3~24VDC(输出-0V间) 剩余电压:2V以下(当流入电流为50mA时) 漏电流:0.1mA以下 | <PNP动作设定时> 最大流出电流:50mA 剩余电压:28V以下(当流出电流为50mA时) 漏电流:0.1mA以下 | ||
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